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從平房到摩天大樓，各大原廠的謀略

隨著應用領域和使用場景愈發多樣化，市場對NAND Flash的要求也隨之提升，譬如想要更高的讀寫速度、最大化的存儲容量、更低的功耗和成本等。可采用二維平面堆疊方式的2D NAND已經不再能滿足市場的需求，這一切也促使NAND廠商必須謀定而后動，之后便沉下心來埋頭研發，NAND Flash結構也從平房蛻變到摩天大樓。采用三維平面堆疊方式3D NAND雖大大增加了存儲空間，但如何突破3D NAND層數瓶頸，堆疊更高的摩天大樓，一直是市場的焦點，也是NAND廠商研發的痛點。在此之下，一場有關NAND Flash的層數之爭已持續數年，NAND廠商早已吹響沖鋒集結號，這一路也取得了不少的成就。

自2012年24層BiCS1 FLASHTM 3D NAND Flash之后，鎧俠還研發出了48層、64層、96層、112層/128層。2021年，鎧俠聯手西部數據突破162層BiCS6 FLASHTM 3D NAND Flash。今年5月，西部數據與鎧俠未來的路線圖指出，預計2024年BiCS+的層數超過200層，如果一切按計劃進行，2032年應該會看到500層NAND閃存。

最早在3D NAND領域開拓疆土的是韓國廠商三星。2013年8月，三星推出V-NAND（3D NAND）閃存，這也是全球首個3D單元結構“V-NAND”。之后，三星還陸續推出了32層、48層、64層、96層、128層、176層的V-NAND。2021年末，三星曾透露正在層數200+的V-NAND產品，目前暫未披露相關信息。

作為韓國第二大存儲廠商的SK海力士也不甘落后，在2014年研發出3D NAND產品，并在2015年研發出36層3D NAND，之后按照48層、72層/76層、96層、128層、176層的順序陸續推出閃存新產品。2022年8月3日，SK海力士再將層數突破到238層的新高度，該層數是當前全球首款業界最高層數NAND閃存，產品將于2023年上半年投入量產。

2016年，美光發布3D NAND，雖然發出時間晚于三星等上述幾家廠商，但后期美光的研發實力不容小覷。在2020年美光搶先推出當時業界首款176層3D NAND，后又于2022年7月率先推出全球首款232層NAND，該產品現已在美光新加坡工廠量產。美光表示，未來還將發力2YY、3XX與4XX等更高層數。

目前從原廠動態來看，SK海力士和美光率先進入200+層時代，其中NAND閃存業界最高層數為SK海力士的238層，其次是美光的232層。主流技術NAND Flash 3D堆疊層數已跨越176層、232層、邁進238層，未來原廠還將發力200+層、300層、400層、甚至500層以上NAND技術。在2021年IEEE國際可靠性物理研討會上，SK海力士預測，3D NAND未來將達到600層以上。另有一些行業專家認為，3D NAND可以堆疊到1000層。可見，隔NAND Flash技術的天花板還有很高的距離。